|
народные |
|
Мы будем благодарны, если Вы установите на своем сайте ссылку на наш
<a href="http://news.mitosa.net" title="Самые лучшие новости из известных источников, отобранные для Вас вручную"> Народные новости</a> Выглядеть это может так Народные новости |
Флэш-память станет в 200 раз быстрее
Флэш-память станет в 200 раз быстрее
Специалистами голландской компании Phillips разработан новый полупроводниковый материал, который позволит создать энергонезависимую и при этом быструю память. Еще одним важным достоинством нового материала является его дешевизна. Для переключения электронных элементов, выполненных с использованием нового материала, не потребуется высокое напряжение. Это открывает перспективу использования материала при создании микросхем с очень тонкими и малоразмерными проводящими элементами, что позволит существенно снизить энергопотребление. Более того – благодаря новому материалу информация будет сохраняться в памяти даже после отключения питания, подобно современной флэш-памяти. К тому же новая память обладает рядом существенных преимуществ. «В отличие от уже существующих технологий создания памяти, например, флэш-памяти, буквально все аспекты технических характеристик новой памяти улучшаются с уменьшением ее размеров», - говорится в официальном заявлении компании, предваряющем запланированный выход в апреле научной публикации в журнале Nature Material. Параметры памяти нового типа будут удовлетворять требованиям к интегрированной памяти для чипов, которые будут производиться в 2007 – 2008 годах. Предполагается, что к этому времени характерный размер элементов чипов уменьшится до 50 нанометров в сравнении с 90 нанометрами у передовых технологических систем сегодняшнего дня. При 50 нм технологии напряжение, необходимое для работы новой памяти, составит всего 0,7 В, что, по мнению специалистов Philips, хорошо согласуется с уровнем напряжения, необходимым для работы кремниевых 50 нм микросхем. О самом новом материале пока что известно следующее. Он представляет собой полупроводник на основе сплава сурьмы и теллура, состояние которого меняется при прохождении электрического тока. Порог переключения между аморфным и кристаллическим состояниями в нем составляет 14В/мкм. В настоящее время материалы с изменяющимся фазовым состоянием используются в перезаписываемых оптических носителях – таких, как CD и DVD. Другим достоинством нового материала является его дешевизна и очень высокая скорость переключения. «Он переключается в 100 – 200 раз быстрее, чем требуется для ячеек флэш-памяти, что делает его весьма привлекательной заменой для памяти DRAM в некоторых приложениях», - говорится в заявлении Phillips. Память DRAM используется в настоящее время в ПК. Она позволяет хранить информацию лишь до тех пор, пока на нее подается питание, однако она существенно дешевле, чем флэш-память. В прототипе памяти нового типа достигнута скорость переключения, составляющая 30 нс. При этом для переключения можно использовать импульсы с симметричными передним и задним фронтами, что является дополнительным достоинством. Для создания линейки ячеек потребуется всего один – два литографических этапа, что также будет способствовать снижению себестоимости. Низкая стоимость и высокая скорость переключения открывает перспективу создания памяти на одном кристалле. «Голубой мечтой» производителей встроенной памяти является создание так называемой унифицированной памяти, которая могла бы прийти на смену всем существующим ее типам и сочетала бы в себе скорость памяти SRAM c плотностью DRAM и энергонезависимостью флэш-памяти», - отмечает Карен Аттенборо (Karen Attenborough), руководитель проекта Scalable Unified Memory в компании Phillips. Похожие темы |